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硬盘SMART检测参数详解(五)

C8( 200 )写入错误率 Write Error Rate / 多区域错误率 Multi-Zone Error Rate(西部数据)
数据应为0 ,当前值应远大于临界值。这个参数的数据累计了向扇区写入数据时出现错误的总数。有的新硬盘也会有一定的数据量,若数据值持续快速升高(当前值偏低),表示盘片、磁头组件可能有问题。

C8 ( 200 )总读取指令数 Total Count of Read Command ( Indilinx 芯片)

C9 ( 201 )脱道错误率 Off Track Error Rate / 逻辑读取错误率 Soft Read Error Rate
数据值累积了读取时脱轨的错误数量,如果数据值不为0 ,最好备份硬盘上的资料。

C9 ( 201 ) TA Counter Detected (意义不明)

C9 ( 201 )写入指令总数 Total Count of Write Command ( Indilinx 芯片)

CA ( 202 )数据地址标记错误 Data Address Mark errors
此项的数据值越低越好(或者由制造商定义)。

CA ( 202 ) TA Counter Increased (意义不明)

CA ( 202 )剩余寿命 Percentage Of The Rated Lifetime Used ( Micron 镁光芯片)

当前值从100 开始下降至0 ,表示所有块的擦写余量统计。计算方法是以MLC 擦写次数除以50 ,SLC 擦写次数除以1000 ,结果取整数,将其与100 的差值作为当前值( MLC 预计擦写次数为5000 ,SLC 预计擦写次数为100000 )。

CA ( 202 )闪存总错误bit 数 Total Count of error bits from flash ( Indilinx芯片)

CB ( 203 )软件ECC 错误数 Run Out Cancel
错误检查和纠正( ECC)出错的频度。

CB ( 203 )校正bit 错误的总读取页
数 Total Count of Read Sectors with correct bits error ( Indilinx 芯片)

CC ( 204 )软件ECC 校正 Soft ECC Correction
通过软件ECC 纠正错误的计数。

CC ( 204 )坏块满标志 Bad Block Full Flag ( Indilinx 芯片)

CD ( 205 )热骚动错误率 Thermal Asperity Rate (TAR)
由超温导致的错误。数据值应为0 。

CD ( 205 )最大可编程/ 擦除次数 Max P/E Count ( Indilinx 芯片)

CE ( 206 )磁头飞行高度 Flying Height
磁头距离盘片表面的垂直距离。高度过低则增加了磁头与盘片接触导致损坏的可能性; 高度偏高则增大了读写错误率。不过准确地说, 硬盘中并没有任何装置可以直接测出磁头的飞行高度,制造商也只是根据磁头读取的信号强度来推算磁头飞行高度。

CE ( 206 )底层数据写入出错率 Write Error Rate

CE ( 206 )最小擦写次数 Erase Count Min ( Indilinx 芯片)

CF ( 207 )主轴过电流 Spin High Current
数据值记录了主轴电机运行时出现浪涌电流的次数, 数据量的增加意味着轴承或电机可能有问题。

CF ( 207 )最大擦写次数 Erase Count Max ( Indilinx 芯片)

D0 ( 208 )主轴电机重启次数 Spin Buzz
数据值记录了主轴电机反复尝试启动的次数,这通常是由于电源供电不足引起的。

D0 ( 208 )平均擦写次数Erase Count Average ( Indilinx 芯片)

D1 ( 209 )脱机寻道性能 Offline Seek Performance
这一项表示驱动器在脱机状态下的寻道性能,通常用于工厂内部测试。

D1 ( 209 )剩余寿命百分比 Remaining Life % ( Indilinx 芯片)

D2 ( 210 )斜坡加载值 Ramp Load Value
这一项仅见于几年前迈拓制造的部分硬盘。通常数据值为0 ,意义不明。

D2 ( 210 )坏块管理错误日志 BBM Error Log ( Indilinx 芯片)

D3 ( 211 )写入时振动 Vibration During Write
写入数据时受到受到外部振动的记录。

D3 ( 211 )SATA 主机接口CRC 写入错误计数 SATA Error Count CRC (Write)
( Indilinx 芯片)

D4 ( 212 )写入时冲击 Shock During Write
写入数据时受到受到外部机械冲击的记录。

D4 ( 212 )SATA 主机接口读取错误计数 SATA Error Count Count CRC (Read)
( Indilinx 芯片)

DC ( 220 )盘片偏移量 Disk Shift
硬盘中的盘片相对主轴的偏移量(通常是受外力冲击或温度变化所致), 单位未知,数据值越小越好。

DD ( 221 )冲击错误率 G-sense error rate
与( BF)相同,数据值记录了硬盘受到外部机械冲击或振动导致出错的频度。

DE ( 222 )磁头寻道时间累计 Loaded Hours
磁头臂组件运行的小时数,即寻道电机运行时间累计。

DF ( 223 )磁头加载/ 卸载重试计数 Load/Unload Retry Count
这一项与( C1 )项类似,数据值累积了磁头尝试重新加载/ 卸载的次数。

E0 ( 224 )磁头阻力 Load Friction
磁头工作时受到的机械部件的阻力。

E1 ( 225 )主机写入数据量 Host Writes
由于闪存的擦写次数是有限的,所以这项是固态硬盘特有的统计。Intel 的SSD 是每当向硬盘写入了65536 个扇区, 这一项的数据就+ 1 。如果用HDTune 等软件查看SMART 时可以自己计算, Intel SSD Toolbox 已经为你算好了,直接就显示了曾向SSD 中写入过的数据量。

E2 ( 226 )磁头加载时间累计 Load 'In'-time
磁头组件运行时间的累积数,即磁头臂不在停靠区的时间,与( DE )项相似。

E3 ( 227 )扭矩放大计数 Torque Amplification Count
主轴电机试图提高扭矩来补偿盘片转速变化的次数。当主轴轴承存在问题时, 主轴电机会尝试增加驱动力使盘片稳定旋转。这个参数的当前值下降, 说明硬盘的机械子系统出现了严重的问题。

E4 ( 228 )断电返回计数 Power-Off Retract Cycle
数据值累计了磁头因设备意外断电而自动返回的次数,与( C0 )项相似。

E6 ( 230 ) GMR 磁头振幅 GMR Head Amplitude
磁头“抖动”,即正向/ 反向往复运动的距离。

E7 ( 231 )温度 Temperature
温度的数据值直接表示了硬盘内部的当前温度,与( C2 )项相同。

E7 ( 231 )剩余寿命 SSD Life Left
剩余寿命是基于P/E 周期与可用的备用块作出的预测。新硬盘为100 ; 10 表示PE 周期已到设计值,但尚有足够的保留块; 0 表示保留块不足,硬盘将处于只读方式以便备份数据。

E8 ( 232 )寿命余量 Endurance Remaining
寿命余量是指硬盘已擦写次数与设计最大可擦写次数的百分比,与( CA )项相似。

E8 ( 232 )预留空间剩余量 Available Reserved Space ( Intel 芯片)
对于Intel 的SSD 来说,前边05 项提到会保留一些容量来准备替换损坏的存储单元,所以可用的预留空间数非常重要。当保留的空间用尽, 再出现损坏的单元就将出现数据丢失, 这个SSD 的寿命就结束了。所以仅看05 项意义并不大, 这一项才最重要。这项参数可以看当前值,新的SSD 里所有的预留空间都在,所以是100 。随着预留空间的消耗,当前值将不断下降,减小到接近临界值(一般是10 )时,就说明只剩下10% 的预留空间了, SSD 的寿命将要结束。这个与( B4 )项相似。

E9 ( 233 )通电时间累计 Power-On Hours
对于普通硬盘来说,这一项与( 09 )相同。

E9 ( 233 )介质磨耗指数 Media Wareout Indicator ( Intel 芯片)
由于固态硬盘的擦写次数是有限的, 当到达一定次数的时候, 就会出现大量的单元同时损坏,这时候预留空间也顶不住了,所以这项参数实际上表示的是硬盘设计寿命。Intel 的SSD 要看当前值,随着NAND 的平均擦写次数从0 增长到最大的设计值, 这一参数的当前值从开始的100逐渐下降至1 为止。这表示SSD 的设计寿命已经终结。当然到达设计寿命也不一定意味着SSD就立即报废,这与闪存芯片的品质有着很大的关系。
注: Total Erase Count 全擦写计数是指固态硬盘中所有块的擦写次数的总和,不同规格的NAND 芯片以及不同容量的SSD ,其最大全擦写次数均有所不同。

本文标题:硬盘SMART检测参数详解(五)
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